內存投資帶動(dòng)，2019下半年全球晶圓廠(chǎng)設備支出反跌回升

報告指出，2018年至2019年，晶圓廠(chǎng)設備投資僅下滑7%，相較于先前所預測降幅18%獲得顯著(zhù)改善。

SEMI全球行銷(xiāo)長(cháng)暨臺灣區總裁曹世綸表示，“晶圓廠(chǎng)設備支出成長(cháng)主要來(lái)自于先進(jìn)的邏輯芯片片制造與晶圓代工業(yè)者對于內存，尤其是3D NAND的投資挹注持續成長(cháng)。”

SEMI 同時(shí)修正2020年晶圓設備投資預測，總金額上修至580億美元，整體市場(chǎng)轉趨樂(lè )觀(guān)。

由圖1黃色趨勢線(xiàn)可見(jiàn)，內存設備支出力道是扭轉全球晶圓廠(chǎng)設備支出放緩趨勢的關(guān)鍵。整體設備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10%及12%，其中下滑主因便來(lái)自全球內存設備支出萎縮。在2019上半年內存設備投資下滑幅度達38%，降至100億美元的水平之下；其中又以3D NAND的設備投資下滑幅度最為慘烈，衰退57%；DRAM的設備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。

在臺積電與英特爾(Intel) 的引領(lǐng)下，先進(jìn)邏輯芯片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預計在2019下半年攀升26%，而同一時(shí)期3D NAND支出則將大幅成長(cháng)逾70%。盡管今年上半年對于DRAM的投資仍持續下降，但自7月份以來(lái)的下降幅度已較和緩。

報告進(jìn)一步顯示，2020上半年，受到索尼(Sony)建廠(chǎng)計劃的帶動(dòng)，圖形感測器的投資預期將成長(cháng)20%，下半年增幅更將超過(guò)90%，達16億美元高峰；另外，在英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroelectronics)和博世(Bosch)的投資計劃，電源管理元件的投資預計大幅增長(cháng)40%以上，下半年將維持成長(cháng)態(tài)勢，再度上升29%，金額上看近17億美元。

在2019年11月公布的最新一期全球晶圓廠(chǎng)預測報告(World Fab Forecast)，SEMI追蹤并更新了全球440處晶圓廠(chǎng)和生產(chǎn)線(xiàn)在2018~2020年期間的每季支出。 SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測報告列出1,300多處前端制程晶圓廠(chǎng)和生產(chǎn)線(xiàn)，以及135處預計在2019年或以后開(kāi)始量產(chǎn)的設施，本次報告也提供每季產(chǎn)能擴充、技術(shù)制成、3D層、產(chǎn)品類(lèi)型和晶圓尺寸等各項晶圓廠(chǎng)支出。