三星停電事件帶動(dòng)買(mǎi)方備貨意愿

根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，隨著(zhù)近一個(gè)月來(lái)DRAM現貨價(jià)格持續走揚，加上2019年12月31號三星華城廠(chǎng)區發(fā)生跳電（相關(guān)閱讀：斷電1分鐘停產(chǎn)2-3天！三星存儲工廠(chǎng)或損失十億韓元），雖然整體內存的供給并沒(méi)有因此事件受到重大影響，但觀(guān)察到各產(chǎn)品別買(mǎi)方備貨意愿進(jìn)一步增強。

因此，TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合約價(jià)格預測，由原先的“大致持平”調整為“小漲”，價(jià)格正式提前翻轉向上。

在標準型內存，雖然第一季的價(jià)格仍在議定中，但TrendForce預估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿易關(guān)稅的不確定性下，大部分銷(xiāo)往美國的筆電都趕在2019年第四季出貨，導致2020年第一季的出貨較為疲弱。但考慮今年DRAM的供給位成長(cháng)幅度僅不到13%，加上三星跳電事件的影響，PC OEM已做好DRAM即將漲價(jià)的可能，當前都以建立更佳的庫存水位為目標，因此在采購上愿意接受持平或更高的模塊合約價(jià)格；若原廠(chǎng)能夠在第一季增加供貨量，買(mǎi)方甚至愿意接受更高的價(jià)格，以確保安全的庫存水位。

行動(dòng)式內存方面，雖然第一季智能型手機市場(chǎng)在5G的議題下所有支撐，但因5G芯片初期供應數量有限，加上傳統淡季影響，拉貨動(dòng)能依舊偏弱，因此TrendForce原先預測行動(dòng)式內存Discrete/eMCP價(jià)格將較前一季下跌0~5%。然而自去年12月中開(kāi)始，除了服務(wù)器內存與繪圖用內存需求增溫，帶動(dòng)整體價(jià)格走勢提前反轉之外，NAND Flash的供應告急同樣激勵eMCP的價(jià)格表現，因此將行動(dòng)式內存的價(jià)格預估由“小跌”調整為“大致持平”。

至于利基型內存，由于三星華城廠(chǎng)區Line 13的DRAM生產(chǎn)重心主要為20/25nm的利基型內存產(chǎn)品，加上受到現貨市場(chǎng)價(jià)格上揚的影響最為直接，使得利基型內存價(jià)格將提早反彈。目前來(lái)看，雖然鎖定季度合約價(jià)(quarterly lock-in price)的第一線(xiàn)大客戶(hù)有機會(huì )守住持平，不過(guò)原廠(chǎng)的供貨達標率 (fulfillment rate)不到六成，加上采購端截至去年底皆未積極備貨，導致庫存偏低，月合約價(jià)可能將開(kāi)始逐月向上；此外，重復下單(double-booking)的出現亦可能導致原廠(chǎng)的供貨達標率進(jìn)一步惡化，因此第一季DDR3和DDR4的價(jià)格預估將較前一季上漲0~5%。